记忆体装置与操作该记忆体装置之方法;A MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION OF SUCH A MEMORY DEVICE

摘要

本发明提供记忆体装置与操作该记忆体装置之方法，该记忆体装置具有连接至核心电压位准之记忆体单元阵列，及用以执行写入操作以便将资料写入该阵列内复数个定址记忆体单元中之存取电路系统，该存取电路系统接收核心电压位准及小于核心电压位准之周边电压位准两者。在阵列内，每一列连接至关连字线，每一行连接至至少一个关连位元线，及行经排列为复数个行组，每一行组包含复数个行。在执行写入操作之前将至少一个位元线预充电至周边电压位准，该位元线与包含定址记忆体单元之至少每一行关连。然后，字线驱动器电路系统经配置以判定在与包含定址记忆体单元之阵列的列关连之字线上之字线信号处于核心电压位准，且此外，写入多工驱动器电路系统判定至写入多工电路系统之多工控制信号处于核心电压位准，然后，写入多工电路系统依据多工控制信号将每一定址记忆体单元之至少一个位元线耦接至写入驱动器电路系统，多工控制信号辨识每一行组中哪一行包含定址记忆体单元。随后，此举容许写入驱动器电路系统在写入操作期间控制每一定址记忆体单元之至少一个位元线上之电压，以便将所需写入资料储存至定址记忆体单元内。已发现，当核心电压域与周边电压域之间的差异相对较大时(例如具有400mV之形式)，该方法保持充足的写入边际，同时，当与已知先前技术技艺相比时，亦降低功率消耗。