发明名称 |
一种减小LTPS接触孔深宽比的工艺方法;PROCESS FOR REDUCING THE DEPTH TO WIDTH RATIO OF A LTPS CONTACT HOLE |
摘要 |
本发明公开了一种减小LTPS接触孔深宽比的工艺方法,该方法具有一预刻蚀步骤,该预刻蚀步骤包括:在膜表面向下刻蚀一设定厚度,形成一垂直高度低于该膜表面的基准面;自该基准面向下制作形成该LTPS接触孔。本发明的方法在LTPS接触孔制作工艺中增加一步预刻蚀步骤,使接触孔区域的膜厚减小,最后形成的接触孔的倾角也随之减小,改善了器件的性能。 |
申请公布号 |
TW201515149 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
TW102147112 |
申请日期 |
2013.12.19 |
申请人 |
上海和辉光电有限公司 EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED |
发明人 |
杨东伦 YANG, DONG-LUN |
分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈天赐 |
主权项 |
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地址 |
中国大陆 CN |