发明名称 一种减小LTPS接触孔深宽比的工艺方法;PROCESS FOR REDUCING THE DEPTH TO WIDTH RATIO OF A LTPS CONTACT HOLE
摘要 本发明公开了一种减小LTPS接触孔深宽比的工艺方法,该方法具有一预刻蚀步骤,该预刻蚀步骤包括:在膜表面向下刻蚀一设定厚度,形成一垂直高度低于该膜表面的基准面;自该基准面向下制作形成该LTPS接触孔。本发明的方法在LTPS接触孔制作工艺中增加一步预刻蚀步骤,使接触孔区域的膜厚减小,最后形成的接触孔的倾角也随之减小,改善了器件的性能。
申请公布号 TW201515149 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW102147112 申请日期 2013.12.19
申请人 上海和辉光电有限公司 EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED 发明人 杨东伦 YANG, DONG-LUN
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 陈天赐
主权项
地址 中国大陆 CN