乾蚀刻方法

摘要

本发明的课题是在电浆蚀刻具有交替重复层叠Si层及SiGe层的构造之试料的乾蚀刻方法中，提供一种相对于各Si层可选择性地各向同性蚀刻各SiGe层之乾蚀刻方法。;本发明的乾蚀刻方法，系相对于各Si层，选择性地各向同性蚀刻交替重复层叠Si层与SiGe层的层叠膜的各SiGe膜之乾蚀刻方法，其特征为：使用NF3气体，藉由被脉冲调变的电浆来电浆蚀刻前述各SiGe膜。