发明名称 蚀刻用快速气体切换;FAST-GAS SWITCHING FOR ETCHING
摘要 本发明提供一种在具有内部注射区气体进料器以及外部注射区气体进料器的电浆腔室内蚀刻一层体的方法。该层体系置于该电浆腔室中。一脉冲蚀刻气体自内部注射区气体进料器以一第一频率供应,其中来自该内部注射区气体进料器的脉冲气体之气流线性降至零。该脉冲气体由该外部注射区气体进料器以该第一频率提供,且与来自该内部注射区气体进料器的该脉冲气体同步但不同相位。在自内部注射区气体进料器提供该脉冲蚀刻气体、以及自外部注射区气体进料器提供该脉冲蚀刻气体的同时,该蚀刻气体形成为一电浆以蚀刻该层体。
申请公布号 TW201515094 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW103126467 申请日期 2014.08.01
申请人 兰姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION 发明人 斯里拉曼 沙拉维纳布里恩 SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN;派特森 亚历山大 PATERSON, ALEXANDER
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 许峻荣
主权项
地址 美国 US