记忆体装置以及在此记忆体装置中执行存取操作的方法;A MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING ACCESS OPERATIONS WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

摘要

本发明提供一种记忆体装置及在此记忆体装置中执行存取操作的方法。记忆体装置包含：按复数个行与列排列的记忆体单元之阵列；复数个字线，每一字线经耦接至记忆体单元之关联行；及复数个位元线，每一位元线经耦接至记忆体单元之关联列。在具有阵列电压供应的阵列电压域中操作阵列。存取电路系统经耦接至复数个字线及复数个位元线以便关于阵列中的选定记忆体单元执行存取操作，存取电路系统中的至少一部分在具有周边电压供应的周边电压域中操作。控制电路系统则控制存取电路系统之操作，控制电路系统包括自计时路径(STP)延迟电路系统，该STP延迟电路系统产生指示与存取记忆体单元关联的存取时序延迟之延迟指示。控制电路系统在控制存取电路系统执行该等存取操作时使用延迟指示。电压供应控制电路系统与STP延迟电路系统中的至少一个部分关联及取决于关于该阵列电压供应与该周边电压供应之电压位准所设置的控制讯号在该周边电压供应与该阵列电压供应之间切换对STP延迟电路系统中的该至少一个部分的电压供应。此产生一种改良STP延迟机制，该改良STP延迟机制不仅在周边电压供应比阵列电压供应更小时，并且在两个电压供应类似的情形中，及甚至在周边电压供应超过阵列电压供应的情形中提供充足读取及写入余裕。