发明名称 具有测试单元的半导体装置、具有其之电子设备以及用于测试该半导体装置的方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TEST UNIT, ELECTRONIC APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD FOR TESTING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一种半导体装置可以检测藉由从直通矽晶穿孔(TSV)迁移的铜(Cu)离子所导致的有缺陷的或有故障的部分,造成装置特性和可靠性的改善。所述半导体装置包括:半导体基板,其包括藉由装置隔离区所定义的主动区;直通矽晶穿孔(TSV),其形成以穿过所述半导体基板;以及测试单元,其形成在所述TSV附近,以便确定藉由TSV所造成的金属污染物的存在或不存在。; a through silicon via (TSV) formed to pass through the semiconductor substrate ;
申请公布号 TW201515186 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW103106645 申请日期 2014.02.27
申请人 爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. 发明人 裵柄郁 BAE, BYUNG WOOK
分类号 H01L25/04(2014.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L25/04(2014.01)
代理机构 代理人 阎启泰林景郁
主权项
地址 南韩 KR