发明名称 |
具有测试单元的半导体装置、具有其之电子设备以及用于测试该半导体装置的方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TEST UNIT, ELECTRONIC APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD FOR TESTING THE SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
一种半导体装置可以检测藉由从直通矽晶穿孔(TSV)迁移的铜(Cu)离子所导致的有缺陷的或有故障的部分,造成装置特性和可靠性的改善。所述半导体装置包括:半导体基板,其包括藉由装置隔离区所定义的主动区;直通矽晶穿孔(TSV),其形成以穿过所述半导体基板;以及测试单元,其形成在所述TSV附近,以便确定藉由TSV所造成的金属污染物的存在或不存在。; a through silicon via (TSV) formed to pass through the semiconductor substrate ; |
申请公布号 |
TW201515186 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
TW103106645 |
申请日期 |
2014.02.27 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. |
发明人 |
裵柄郁 BAE, BYUNG WOOK |
分类号 |
H01L25/04(2014.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/04(2014.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
主权项 |
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地址 |
南韩 KR |