一半导体器件以及一种改善该半导体器件之击穿电压之方法;A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

一种半导体器件，具有与一半导体层毗连之第一层，还包括至少一个场修正结构，该场修正结构定位成使得，在使用时，该场修正结构处之电位使得修正该半导体层与该第一层之间之一介面区域处之一E场向量。