Halbleiterlaser mit einseitig verbreiterter Ridgestruktur

摘要

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper und einer auf dem Grundkörper angeordneten Ridgestruktur, die entlang einer Längsachse über einer aktiven Zone ausgerichtet ist, wobei die Ridgestruktur eine erste Breite aufweist, und wobei die Ridgestruktur entlang der Längsachse zwei gegenüberliegende Endflächen aufweist, wobei die Ridgestruktur angrenzend an wenigstens eine Endfläche einen in Bezug auf eine Mittenachse der Ridgestruktur einseitig angeordneten Endabschnitt aufweist, so dass die Ridgestruktur angrenzend an die Endfläche einseitig verbreitert ist.