氧化物半导体组成物及其制备方法、氧化物薄膜电晶体及其制备方法;OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF,申请号TW102139745-传众专利搜索

发明名称	氧化物半导体组成物及其制备方法、氧化物薄膜电晶体及其制备方法;OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要	一种氧化物半导体组成物包括石墨烯、金属氧化物前驱物以及溶剂。以氧化物半导体组成物的总重量计，其中石墨烯的含量为0.01至10重量百分比，金属氧化物含量为0.01至30重量百分比，溶剂的含量为60至99.98重量百分比。
申请公布号	TW201515235	申请公布日期	2015.04.16
申请号	TW102139745	申请日期	2013.11.01
申请人	中华映管股份有限公司 CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.	发明人	谢佳昇 HSIEH, CHIA SHENG;连詹田 LIAN, JAN TIAN;吴宏昱 WU, HUNG YU;傅欣敏 FU, HSIN MIN;梁建铮 LIANG, JANG JENG
分类号	H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01)	主分类号	H01L29/786(2006.01)
代理机构		代理人	詹铭文叶璟宗
主权项
地址	桃园市八德区和平路1127号 TW