用于在发光半导体组件中形成结构的光微影方法;PHOTOLITHOGRAPHIC METHOD FOR MAKING A STRUCTURE IN A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

一种用于在发光半导体组件(10)中形成结构(1)的光微影方法，具有以下步骤：-制备一半导体晶圆(6)，其具有一半导体层序列(8)以形成发光半导体组件(10)，-在该半导体晶圆(6)上施加一第一光阻层(5)，-制备一遮罩(3)，其具有复数个遮罩元件(4)，-在第一位置上相对于已涂层的该半导体晶圆(6)而配置该遮罩(3)，-使第一光阻层(5)曝光且使该遮罩(3)成像于第一光阻层(5)中，-在一与第一位置不同的第二位置上相对于该半导体晶圆(6)而配置该遮罩(3)或另一遮罩，使第一光阻层(5)重新曝光且使该遮罩(3)成像于第一光阻层(5)中或-在第一光阻层(5)上施加第二光阻层，在一与第一位置不同的第二位置上相对于该半导体晶圆(6)而配置该遮罩(3)或另一遮罩，以及使第二光阻层曝光且使该遮罩(3)成像于第二光阻层中，-藉由已结构化的光阻层(5)以形成一已结构化的光阻层(5)及结构化的该半导体晶圆(6)，其中在该半导体晶圆(6)上形成复数个结构元件(2、2a、2b)，且该些结构元件(2)之间的最大间距(a)小于该些遮罩元件(4)之间的最大间距(a’、a1)，-将该半导体晶圆(6)划分成复数个发光半导体组件(10)，其分别具有一包含复数个结构元件(2、2a、2b)的结构(1)。