| 发明名称 |
垂直式功率电晶体装置;VERTICAL POWER TRANSISTOR DEVICE |
| 摘要 |
本发明揭示一种功率金属-氧化物-半导体场效电晶体(MOSFET)，其包含一基板、该基板上方之一漂移层及该漂移层上方之一散布层。该散布层包含藉由一接面闸极场效(JFET)区域分离之一对接面植入物。一闸极氧化物层系在该散布层之顶部上。闸极接触件系在该闸极氧化物层之顶部上。源极接触件之各者系在该散布层与该闸极氧化物层及该闸极接触件分离之一部分上。汲极接触件系在该基板与该漂移层相对之表面上。 |
| 申请公布号 |
TW201515225 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
| 申请号 |
TW103127134 |
申请日期 |
2014.08.07 |
| 申请人 |
克立公司 CREE, INC. |
发明人 |
帕拉 维品达斯 PALA, VIPINDAS;阿加娃 安那 库玛 AGARWAL, ANANT KUMAR;成林 CHENG, LIN;利腾沃纳 丹尼尔 珍纳 LICHTENWALNER, DANIEL JENNER;帕蓦尔 约翰 威廉斯 PALMOUR, JOHN WILLIAMS |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 US |
