双沟槽闸极绝缘闸双极电晶体结构;DUAL TRENCH-GATE IGBT STRUCTURE

摘要

本发明提出了一种含有基板的IGBT元件，其中基板包括一个第一导电类型的半导体底层和一个第二导电类型的半导体底层，至少一个第一闸极形成在基板上方的相应的第一沟槽中，至少一个第二闸极形成在基板上方的第二沟槽中。闸极绝缘物形成在第一沟槽和第二沟槽的每个侧面，并用多晶矽填充第一沟槽和第二沟槽。第二沟槽垂直延伸到比至少一个第一沟槽更深的地方。IGBT元件更包括一个第二导电类型的本体区，在至少一个第一闸极或第二闸极之间，至少一个堆叠层在至少一个第一闸极的底部和半导体顶层的顶部之间。至少一个堆叠层包括一个第二导电类型的浮动本体区，在第一导电类型的浮动本体区上方。