| 摘要 |
<p>Elektrisches Bauelement (EB), umfassend–ein unteres Gehäuseteil (UG) mit einem konkaven Abschnitt (KA),–einen unteren Chip (UC) mit einem elektrischen Anschluss (EA1) und einen oberen Chip (OC) mit einem elektrischen Anschluss (EA2),–einer internen Verschaltung (IV) der elektrischen Anschlüsse (EA1, EA2) des unteren (UC) und des oberen (OC) Chips,–eine Zwischenfolie (ZF), wobei–der untere Chip (UC) in dem konkaven Abschnitt (KA) angeordnet ist,–die Zwischenfolie (ZF) den unteren Chip (UC) zumindest teilweise überspannt,–der obere Chip (OC) auf der Zwischenfolie (ZF) oberhalb des unteren Chips (UC) angeordnet ist,–das untere Gehäuseteil (UG) eine Schalleintrittsöffnung (SEO) an der Unterseite hat,–in der Zwischenfolie (ZF) eine Schalldurchführungsöffnung (SDO) angeordnet ist,–der obere Chip (OC) ein MEMS-Chip mit Mikrofon-Bauelementstrukturen ist,–der untere Chip (UC) ein ASIC-Chip ist und–die Mikrofon-Bauelementstrukturen des MEMS-Chips (OC) über die Schalldurchführungsöffnung (SDO) und die Schalleintrittsöffnung (SEO) mit der das Bauelement umgebenden Atmosphäre in Kontakt sind.</p> |
