| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Halbleitergehäuses (400), wobei bei dem Verfahren ein elektronischer Chip (100) mit einem Träger (102) gekoppelt wird, der elektronische Chip (100) mittels einer Verkapselungsstruktur (200), die eine Diskontinuität (300) hat, zumindest teilweise verkapselt und der Träger (102) teilweise verkapselt wird, und zumindest ein Teil der Diskontinuität (300) und ein daran angeschlossenes Volumen, das an einen freiliegenden Oberflächenabschnitt des Trägers (102) angrenzt, mit einer elektrisch isolierenden thermischen Schnittstellenstruktur (402) bedeckt wird, die zumindest einen Teil des Trägers (102) gegenüber einer Umgebung elektrisch entkoppelt. |
