发明名称 磁控溅镀枪装置
摘要 一种真空中之磁控溅镀枪装置,用以溅镀薄膜,此磁控溅镀枪装置包含一磁铁铜座、一磁性元件、一导体元件、一溅镀靶材、一靶材固定组件、一圆筒状护罩及一溅镀倾斜组件所构成。透过优化此磁铁铜座之设计,使得此磁控溅镀枪装置具有增加镀膜速率及增强薄膜与反应气体化合之能力,也可镀制铁磁性材料,此磁铁铜座之设计可方便拆卸溅镀靶材及其中之强力磁铁,此结构中之冷却水路与强力磁铁系为分离,可加长强力磁铁之使用寿命也可保护强力磁铁不会因高热而消磁,而此溅镀倾斜组件更可进一步增加薄膜厚度均匀性。
申请公布号 TW201514329 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW102135601 申请日期 2013.10.01
申请人 财团法人国家实验研究院 NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES 发明人 廖博辉;萧健男
分类号 C23C14/35(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 台北市大安区和平东路2段106号3楼 TW