发明名称 电阻式非挥发性记忆体及其操作方法;RESISTIVE NON-VOLATILE MEMORY AND OPERATION METHOD THEREOF
摘要 一种电阻式非挥发性记忆体及其操作方法。于写入期间,分别提供第一字元线电压与第一位元线电压至目标字元线与目标位元线,其中第一字元线电压与第一位元线电压之电压差大于电阻式非挥发性记忆体元件的转态电压。于该写入期间,分别提供第二字元线电压与第二位元线电压至非目标字元线与非目标位元线。其中,第二字元线电压与第一位元线电压之电压差不大于该转态电压,第二位元线电压与第一字元线电压之电压差不大于该转态电压,以及第二位元线电压与第二字元线电压之电压差不大于该转态电压。
申请公布号 TW201514990 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW102136052 申请日期 2013.10.04
申请人 财团法人工业技术研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 发明人 林志和 LIN, CHIH HE;李思翰 LI, SIH HAN;林文斌 LIN, WEN PIN;许世玄 SHEU, SHYH SHYUAN;林哲辉 LIN, ZHE HUI
分类号 G11C16/02(2006.01);G11C13/00(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号 TW