半導体構造体、構造体を含むデバイス、および半導体構造体を製造する方法

摘要

電磁放射（λ）を受け取って電気信号に変換することが可能である半導体構造体（５）は、同一の導電型を有し、同一の元素により形成された第１および第２の領域（２０、６０）を含む。構造体はさらに、第１および第２の領域（２０、６０）間に設けられ、バリア厚みにおいて第１および第２の領域（２０、６０）の多数キャリアに対するバリアとして作用するバリア領域（４０）であって、バリア含有率を規定する最小バンドギャップエネルギーを有するバリア領域（４０）を含む。構造体（５）は、第１の界面領域厚みにおいて第１の領域（２０）とバリア領域（４０）とを結合するように設けられた第１の界面領域（３０）を含む。第１の界面領域は第１の材料の含有率に対応する含有率からバリア含有率にまで変化する元素を有する。第１の界面領域厚みは、少なくともバリア厚みの半分に等しい。【選択図】図１