显示装置及半导体装置;DISPLAY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的目的在于提供一种开口率高的显示装置或元件面积大的半导体装置。本发明的技术要点如下：在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多闸结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的纵向方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。