发明名称 |
垂直铁电场效电晶体结构、包含一对垂直铁电场效电晶体之结构、铁电场效电晶体之垂直串、及侧向相对之垂直铁电场效电晶体对之垂直串;VERTICAL FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR CONSTRUCTIONS, CONSTRUCTIONS COMPRISING A PAIR OF VERTICAL FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS, VERTICAL STRINGS OF FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND VERTICAL STRINGS OF LATERALLY OPPOSING PAIRS OF VERTICAL FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS |
摘要 |
本发明揭示一种包括一隔离芯之垂直铁电场效电晶体结构。一过渡金属二硫属化物材料围绕该隔离芯且具有1个单层至7个单层之一侧向壁厚度。一铁电闸极介电材料围绕该过渡金属二硫属化物材料。导电闸极材料围绕该铁电闸极介电材料。该过渡金属二硫属化物材料自该导电闸极材料立面向内及立面向外延伸。一导电接触件直接抵靠该过渡金属二硫属化物材料之一侧向外侧壁,即a)自该导电闸极材料立面向内,或b)自该导电闸极材料立面向外。本发明亦揭示额外实施例。 |
申请公布号 |
TW201515224 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
TW103125750 |
申请日期 |
2014.07.28 |
申请人 |
美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
卡达 卡摩M KARDA, KAMAL M.;毛利 钱德拉 MOULI, CHANDRA;珊得胡 高提杰S SANDHU, GURTEJ S. |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |