发明名称 图案形成方法、蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件;PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 本发明提供一种可形成具有各种形状的积层结构的微细的(例如孔径、点径、空间宽度、及线宽等的尺寸为500nm以下的)图案的图案形成方法、由该图案形成方法所制造的图案、以及使用其的蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件,所述图案形成方法依次包括:(i)于基板上依次进行下述步骤(i-1)、下述步骤(i-2)及下述步骤(i-3),而形成第1负型图案的步骤,(i-1)使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(1)于所述基板上形成第1膜的步骤,所述感光化射线性或感放射线性树脂组成物(1)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的第1树脂,(i-2)对所述第1膜进行曝光的步骤,(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对所述经曝光的第1膜进行显影的步骤;(iii)于所述基板的未形成有所述第1负型图案的膜部的区域中,埋设含有第2树脂的树脂组成物(2)来形成下层的步骤;(iv)使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(3)于所述下层上形成上层的步骤,所述感光化射线性或感放射线性树脂组成物(3)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的第3树脂;(v)对所述上层进行曝光的步骤;(vi)使用包含有机溶剂的显影液对所述上层进行显影,而于所述第1负型图案的表面所形成的面上形成第2负型图案的步骤;以及(vii)将所述下层的一部分去除的步骤。; (iii) a step of forming a lower layer by embedding a resin composition (2) including a second resin in an area of the substrate on which no membrane portion of the first negative pattern is formed; (iv) a step of forming an upper layer on the lower layer by using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (3), wherein the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (3) contains a third resin in which a polarity thereof is increased due to an effect of acid and a solubility to a developer including an organic solvent is decreased; (v) a step of exposing the upper layer; (vi) a step of developing the upper layer by using the developer including the organic solvent, thereby forming a second negative pattern on a surface formed by a surface of the first negative pattern; and (vii) a step of removing a part of the lower layer.
申请公布号 TW201514619 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW103126122 申请日期 2014.07.31
申请人 富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 发明人 上羽亮介 UEBA, RYOSUKE;加藤启太 KATO, KEITA
分类号 G03F7/004(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/038(2006.01);G03F7/039(2006.01) 主分类号 G03F7/004(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP