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Die Erfindung bezieht sich auf eine E-Schmelzsicherungsstruktur eines Halbleiterbauelements. Die Erfindung stellt eine E-Schmelzsicherungsstruktur bereit, die eine Schmelzsicherungsverbindung (20f), die aus einem ersten Metallmaterial gebildet ist, um eine Kathode (20c) mit einer Anode (20a) zu verbinden, ein abdeckendes Dielektrikum, das eine Oberseite der Schmelzsicherungsverbindung bedeckt, sowie einen Dummy-Metallstift (50) beinhaltet, der das abdeckende Dielektrikum durchdringt und sich in Kontakt mit einem Bereich der Schmelzsicherungsverbindung befindet. Der Dummy-Metallstift beinhaltet eine Metallschicht sowie eine Barrierenmetallschicht, die zwischen der Metallschicht und der Schmelzsicherungsverbindung eingefügt ist. Die Barrierenmetallschicht ist aus einem zweiten Metallmaterial gebildet, das sich von dem ersten Metallmaterial unterscheidet. Verwendung in der Halbleiterbauelementtechnologie. |
