发明名称 シリコンリッチ反射防止コーティグ材料及びそれらの作製方法
摘要 <p>溶媒中に分散されたシリコンリッチポリシランシロキサン樹脂を含むフォトリソグラフィーにおける使用のための反射防止コーティング(ARC)配合物、並びに該ARC配合物でコーティングされた表面を有する基材、及び該ARC配合物を前記表面に適用してARC層を形成する方法が提供される。該ポリシランシロキサン樹脂は、(R’)2SiO2の構造単位によって定義される第1の構成成分と、(R’’)SiO3の構造単位によって定義される第2の構成成分と、(R’’’)q+2Si2O4−qの構造単位によって定義される第3の構成成分とを含む。これらのポリシランシロキサン樹脂において、R’、R’’、及びR’’’は独立して、炭化水素基又は水素(H)基であるように選択され、また下付文字qは1又は2である。別の方法としては、R’、R’’、及びR’’’は独立して、メチル(Me)基又は水素(H)基として選択される。典型的には、(x+y+z)=1、x<y、かつx<zであるように、第1の構成成分はモル比xで存在し、第2の構成成分はモル比yで存在し、また第3の構成成分はモル比zで存在する。該ポリシランシロキサン樹脂は、約42重量%以上のシリコン含有率を有する。</p>
申请公布号 JP2015511325(A) 申请公布日期 2015.04.16
申请号 JP20140553391 申请日期 2013.01.17
申请人 发明人
分类号 G03F7/11;C08G77/48;C09D5/00;C09D7/12;C09D183/00;G03F7/38 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
地址