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Eine integrierte Schaltung (1) umfasst einen Transistor (200) in einem Halbleitersubstrat (100), das eine Hauptoberfläche (110) hat. Der Transistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220), eine Driftzone (260), eine Gateelektrode (210) und ein Gatedielektrikum (211) benachbart zu der Gateelektrode (210). Die Gateelektrode (210) ist benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereiches (220) angeordnet. Der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) vorgesehen. Das Gatedielektrikum (211) hat eine Dicke, die sich an verschiedenen Positionen bzw. Stellen der Gateelektrode (210) verändert. |
