Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1) mit einem Gate-Anschluss (2), dadurch gekennzeichnet, dass zumindest während des Betriebs des Feldeffekttransistors (1) zumindest in einem Teil des Feldeffekttransistors (1) wenigstens ein elektrisches Feld derart erzeugt wird, dass zumindest in einem an den Gate-Anschluss (2) angrenzenden Bereich des Feldeffekttransistors (1) vorhandene bewegliche Ionen in vorgebbaren Bereichen des Feldeffekttransistors (1) angereichert und dort gehalten werden.