| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers, welches das Einfüllen einer Reinigungslösung, enthaltend Ammoniak und wässriges Wasserstoffperoxid, in einen Reinigungstank, umfassend ein synthetisches Quarzmaterial mit einer durchschnittlichen Al-Konzentration von 1 ppb oder weniger, Eintauchen des oben erwähnten Halbleiter-Wafers in die oben erwähnte Reinigungslösung und Reinigen des oben erwähnten Halbleiter-Wafers, umfasst, sodass eine Oberflächen-Ätzgeschwindigkeit des oben erwähnten synthetischen Quarzes durch die oben erwähnte Reinigungslösung 0,3 nm/min oder weniger wurde, und gemäß diesem Verfahren ein Reinigungsverfahren, welches die Al-Konzentration in der Ammoniak- und Per-Wasser-Reinigungslösung auf einer niedrigen Konzentration beibehalten kann und die Oberflächenreinheit des Halbleiter-Wafers verbessert, bereitgestellt wird.</p> |
