| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：井区域；设置在井区域中的汲极区域和源极区域；设置在井区域上方的闸极电极；设置在闸极电极下面的薄闸极绝缘层和厚闸极绝缘层，厚闸极绝缘层被设置成比薄闸极绝缘层更靠近汲极区域；以及设置在闸极电极下方的延伸汲极接面区域。 |
| 申请公布号 |
TW201515231 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
| 申请号 |
TW103135178 |
申请日期 |
2014.10.09 |
| 申请人 |
美格纳半导体有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. |
发明人 |
柳惟信 RYU, YU SHIN;吴宝石 OH, BO SEOK |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
| 主权项 |
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| 地址 |
南韩 KR |
