具有降低的输出电容之氮化镓装置及其制法;GAN DEVICE WITH REDUCED OUTPUT CAPACITANCE AND PROCESS FOR MAKING SAME

摘要

本文提供一具有降低的输出电容之氮化镓电晶体及其制造方法。该氮化镓电晶体装置包括一基体层、配置在一基体层上之一或多个缓冲层、配置在该等缓冲层上之一障壁层、及形成于该障壁层与该缓冲层之间的一介面的一个二维电子气体(2DEG)。此外，一闸极电极配置在该障壁层上且一电介质层配置在该闸极电极及该障壁层上。该氮化镓电晶体包括一或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与该障壁层之间的该介面之一部分中，以降低该氮化镓装置之输出电容Coss。