半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

多个高度集积于一元件中的电晶体中的至少一个电晶体在无需增加制造步骤数目下被设置一背闸极。在一包括多个纵向堆叠的电晶体的元件中，在上部中的至少一电晶体包括一具有半导体特性的金属氧化物，一与在下部中的电晶体的闸极电极同一层被设置来与在上部中的该电晶体的通道形成区重叠，且该与该闸极电极同一层的一部分系如在上部中的该电晶体的背闸极般地作用。在下部中被一绝缘层覆盖的该电晶体接受平坦化处理，藉此该闸极电极被外露且被连接至一如在上部中的该电晶体的源极及汲极电极般地作用的层。