| 发明名称 |
磷化铟基板之制造方法、磊晶晶圆之制造方法、磷化铟基板及磊晶晶圆 |
| 摘要 |
本发明提供一种能够抑制电气特性之恶化，并且抑制PL特性之恶化的InP基板之制造方法、磊晶晶圆之制造方法、InP基板及磊晶晶圆。本发明之InP基板之制造方法包括以下之步骤：准备InP基板(步骤S1~S3)；利用硫酸过氧化氢混合物清洗InP基板(步骤S5)；于利用硫酸过氧化氢混合物进行清洗之步骤(步骤S5)后，利用磷酸清洗InP基板(步骤S6)。 |
| 申请公布号 |
TW201515075 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
| 申请号 |
TW103137280 |
申请日期 |
2010.01.15 |
| 申请人 |
住友电气工业股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
发明人 |
冲田恭子 OKITA, KYOKO |
| 分类号 |
H01L21/30(2006.01);C30B33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);C30B29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
