用于处理半导体装置的方法及结构;METHODS AND STRUCTURES FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

本发明提供形成半导体结构之方法，其包括：将载体基板曝露于矽烷材料以形成涂层；移除该涂层之至少毗邻该载体基板之周边之部分；将另一基板黏合地接合至该载体基板；及将该另一基板与该载体基板分离。该矽烷材料包含具有(XO)3Si(CH2)nY、(XO)2Si((CH2)nY)2、或(XO)3Si(CH2)nY(CH2)nSi(XO)3之结构的化合物，其中XO系可水解烷氧基，Y系有机官能基，且n系非负整数。某些方法包含：在第一基板上方形成包括Si-O-Si之聚合物材料；移除该聚合物材料之部分；及将另一基板黏合地接合至该第一基板。结构包含：包括Si-O-Si之聚合物材料，其安置于第一基板上方；黏合剂材料，其安置于该第一基板及该聚合物材料之至少一部分上方；及第二基板，其安置于该黏合剂材料上方。