| 发明名称 | 半导体测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型的半导体测试结构，包括：行间距设定为第一预定距离、列间距设定为第二预定距离的2行2N+1列规则排布的第一多晶硅，相邻的四个所述第一多晶硅的相近的顶点围绕形成2N列的连接区域；N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上层，第n列所述第二多晶硅连接第2n-1列与第2n列的所述连接区域；2N列连接塞，所述连接塞位于所述第二多晶硅的上层，位于所述连接区域相对的区域；N-1列第一金属，所述第一金属位于所述连接塞的上层，第n列所述第一金属连接第2n列与第2n+1列的所述连接塞；其中，n＝1，2，……，N。本实用新型的半导体测试结构，可用于检测第二多晶硅与连接塞之间的接触。 | ||
| 申请公布号 | CN204271044U | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201420807322.2 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 柳会雄;董天化;金岚;吴亮 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体测试结构，其特征在于，包括：行间距设定为第一预定距离、列间距设定为第二预定距离的2行2N+1列规则排布的第一多晶硅，相邻的四个所述第一多晶硅的相近的顶点围绕形成2N列的连接区域；N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上层，第n列所述第二多晶硅连接第2n‑1列与第2n列的所述连接区域；2N列连接塞，所述连接塞位于所述第二多晶硅的上层，位于所述连接区域相对的区域；N‑1列第一金属，所述第一金属位于所述连接塞的上层，第n列所述第一金属连接第2n列与第2n+1列的所述连接塞；其中，n＝1，2，……，N。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||