| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成偏移间隙壁；以所述偏移间隙壁为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成轻掺杂区，所述栅介质层两侧具有损坏区；去除所述栅介质层中的损坏区；修补所述栅介质层至预定尺寸；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成侧墙；以所述侧墙及所述栅极为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成重掺杂区。所述晶体管的制作方法得到的栅介质层中，不含有原来受到杂质离子损伤的部分，因此，栅介质层的绝缘性能高，整个晶体管的栅极漏电流小，晶体管的性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104517844A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310455830.9 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 童浩;严琰;曾以志 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成偏移间隙壁；以所述偏移间隙壁为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成轻掺杂区，所述栅介质层两侧具有损坏区；去除所述栅介质层中的损坏区；修补所述栅介质层至预定尺寸；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成侧墙；以所述侧墙及所述栅极为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成重掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||