| 发明名称 | 一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法，所述制作方法包括：1）于半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层；2）藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半导体结构；3）去除所述掩膜层，并于所述鳍形半导体结构表面形成介质层；4）于所述鳍形半导体结构表面沉积高应力SiN层，使所述鳍形半导体结构产生应力；5）去除所述高应力SiN层。本发明通过两次刻蚀于硅衬底中刻蚀出顶部为矩形、底部为梯形的鳍形半导体结构，并通过高应力的SiN层使所述鳍形半导体结构具有应力，可以有效提高鳍形场效晶体管的性能。本发明方法简单，与现有的CMOS工艺兼容，容易实现产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN104517839A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310450978.3 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种鳍形场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层；2）藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半导体结构；3）去除所述掩膜层，并于所述鳍形半导体结构表面形成介质层；4）于所述鳍形半导体结构表面沉积高应力SiN层，使所述鳍形半导体结构产生应力；5）去除所述高应力SiN层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||