半导体光元件、光模块以及半导体光元件的制造方法

摘要

本发明提供一种对多个集成型光调制元件之间的消光比的波动进行抑制的半导体光元件以及光模块。光模块(10)具有波长合波器(12)。波长合波器对多个集成型光调制元件(21、22、23、24)的EAM部(122a、122b、122c、122d)各自的出射光进行合波，输出该合波光。集成型光调制元件(21)具有信号输入端子(31)、激光元件部(121)、以及EAM部(122)。在各个集成型光调制元件中，LDBG波长差(Δλ_LDBG)是各元件的振荡波长(λ_LD)与势垒层带隙波长(λ_BG)的差的绝对值。将Δλ_LDBG1、Δλ_LDBG2、Δλ_LDBG3、以及Δλ_LDBG4的值的波动限定在±1nm的范围内。

主权项

一种半导体光元件，其是具有多个集成型光调制元件的半导体光元件，其特征在于，所述多个集成型光调制元件分别具有：激光元件部，其射出具有振荡波长的激光；以及电场吸收型光调制器部，其具有接受来自所述激光元件部的激光的量子阱芯层，并根据输入电信号进行光调制，与所述多个集成型光调制元件之中的第1集成型光调制元件所具有的激光元件部的振荡波长相比，所述多个集成型光调制元件之中的第2集成型光调制元件所具有的激光元件部的振荡波长较长，与所述第1集成型光调制元件所具有的所述量子阱芯层的势垒层的带隙波长相比，所述第2集成型光调制元件所具有的所述量子阱芯层的势垒层的带隙波长较长。