| 发明名称 | 具有测试单元的半导体器件、电子器件和测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有测试单元的半导体器件、电子器件和测试方法，该半导体器件能够检测从硅穿孔（TSV）迁移的铜（Cu）离子所导致的有缺陷或有故障的部分，由此提高器件性能和可靠性。该半导体器件包括：半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；硅穿孔（TSV），其形成为穿过半导体基板；以及测试单元，其形成在TSV附近，以确定存不存在由TSV导致的金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN104517938A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410101376.1 | 申请日期 | 2014.03.18 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 裴柄郁 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括由器件隔离区限定的有源区；触点，其包含金属材料并形成在所述半导体基板上；以及测试单元，其形成在所述触点附近，用以确定由所述触点导致的金属污染。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||