发明名称 |
神经移植体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种神经移植体的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管结构;在所述碳纳米管结构表面形成一亲水层;在所述亲水层远离所述碳纳米管结构的表面形成一极性层,该极性层具有与待种植的神经细胞相反的电荷极性;在所述形成有极性层的亲水层表面种植多个神经细胞;以及培养该多个神经细胞直到该相邻的神经细胞相互连接形成一神经网络。 |
申请公布号 |
CN102614032B |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201110101123.0 |
申请日期 |
2011.04.21 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
冯辰;范立;赵文美 |
分类号 |
A61F2/02(2006.01)I;A61L27/02(2006.01)I;A61L27/30(2006.01)I |
主分类号 |
A61F2/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种神经移植体的制备方法,其包括以下步骤:提供一自支撑的碳纳米管结构;将所述碳纳米管结构悬空设置,在所述碳纳米管结构表面形成一亲水层;对所述亲水层进行极性化处理,使得该亲水层具有一极性化表面;在所述亲水层的极性化表面种植多个神经细胞,其中,该极性化表面具有与该多个神经细胞相反的电荷极性;以及培养该多个神经细胞直到相邻的神经细胞相互连接形成一神经网络。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |