MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法

摘要

MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在Mg_xZn_1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由Mg_xZn_1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，Mg_xZn_1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。

主权项

一种MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法，采用该方法制备MgZnO薄膜在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由Mg_xZn_1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶(1)放置在真空室内的溅射靶台上；衬底(2)与溅射靶(1)相对并位于溅射靶(1)上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底(2)升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶(3)，Zn环靶(3)的形状为圆片状或者圆环状；当Zn环靶(3)采用圆片状Zn环靶时，溅射靶(1)在上、Zn环靶(3)在下，二者同轴纵向叠加构成叠靶，并且，Zn环靶(3)的外径大于溅射靶(1)的外径；当Zn环靶(3)采用圆环状Zn环靶时，溅射靶(1)在里、Zn环靶(3)在外，二者同轴横向叠加构成叠靶，并且，Zn环靶(3)的内径等于溅射靶(1)的外径。