半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。

主权项

一种半导体发光元件，其中，具备：基板；在所述基板的上表面上所设置、且包括在工作时生成光的活性层的氮化物半导体多层膜，在所述氮化物半导体多层膜之中的与所述活性层的下表面接触的层，或者在所述活性层，形成凹部、段差和突状部之中至少1种，在所述氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和与所述前端面对置的后端面、且构成光波导路的脊条，从所述脊条的宽度方向的中心至所述凹部、所述段差或所述突状部的宽度方向的中心之距离，从所述前端面朝向所述后端面连续性地或阶段性地变化，所述活性层的带隙能量，从所述前端面朝向所述后端面连续性地或阶段性地变化，所述凹部的深度、所述段差的深度或所述突状部的高度，从所述前端面朝向所述后端面连续性地或阶段性地变化。