一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法

摘要

本发明涉及一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种具有催化作用的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调节剂、表面活性剂，该抛光组合液的pH值为2.0～5.5。本发明使抛光磨粒与催化剂相结合，使抛光磨粒在起到机械磨削作用的同时具有催化活性，具有催化氧化的能力，同时兼具机械作用和化学作用，既能保持抛光表面质量又能实现快速去除的一种铜化学机械抛光组合物。

主权项

一种集成电路铜CMP组合物，其特征在于，该组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调节剂、表面活性剂，该抛光组合液的pH值为2.0～5.5，所述各组分的含量如下：含催化剂组合磨粒  5wt％～10wt％氧化剂  0.05wt％～10wt％络合剂  0.03wt％～8wt％缓蚀剂  0.005wt％～0.1wt％界面反应助剂  0.001wt％～0.1wt％表面活性剂  0.001wt％～0.1wt％去离子水  余量。