用于高分辨率电子光刻术的基底及对应的光刻方法

摘要

本发明涉及非常高能量(50keV或更高)的电子束光刻技术。根据本发明，将通过光刻技术制成图案的层通过保持结构支撑，所述保持结构包括基底10(例如由硅制成)和由多孔性材料制成的中间层22，该多孔性材料的密度低于其它方面相同但为非多孔性材料的密度，此材料、尤其是硅或碳纳米管具有小原子序数，小于32并且优选小于20。此结构减小了向后散射的电子对高分辨率光刻图案的影响。

主权项

一种保持结构，用于保持将被选择性处理成高分辨率图案的材料层，所述结构还意于接收用于定义所述图案的电敏掩层(26)，其特征在于，所述保持结构包括基底(10)的叠加，以及由多孔性材料制成的中间层(22)的叠加，所述多孔性材料的密度最多是其它方面相同但为非多孔性材料的密度的二分之一，该材料具有小于32的小原子质量。