| 发明名称 | 单片多通道可自适应STT-MRAM | ||
| 摘要 | 单片多通道电阻式存储器包括至少一个第一组，该至少一个第一组与第一通道相关联并且根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐。该存储器还包括至少一个第二组，该至少一个第二组与第二通道相关联并且根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。 | ||
| 申请公布号 | CN104520934A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201380041999.8 | 申请日期 | 2013.08.07 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | S·H·康;X·朱 |
| 分类号 | G11C29/02(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种单片多通道电阻式存储器，包括：至少一个第一组，所述至少一个第一组与第一通道相关联并且根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐；以及至少一个第二组，所述至少一个第二组与第二通道相关联并且根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||