沟槽式场效应管及其制备方法

摘要

沟槽式场效应管及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底，覆盖半导体衬底表面的外延层，位于外延层内的源掺杂区，位于外延层内且在源掺杂区下方的沟道区，位于外延层内且与源掺杂区和沟道区均相邻接触的沟槽，用于连接外电极的源/漏/栅电极，以及位于沟道区下方且与沟道区相邻接处的第一掺杂区。通过所述第一掺杂区的引入，减小寄生三极管中基区电压降，抑制寄生三极管导通，从而降低三极管的基极电流，有效减小寄生三极管效应，改善沟槽式场效应管的性能。

主权项

一种沟槽式场效应管，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的外延层，覆盖所述半导体衬底表面；具有第一导电类型的源掺杂区，位于所述外延层内；具有第二导电类型的沟道区，位于所述外延层内，且位于所述源掺杂区下方；沟槽，位于所述外延层内，且与所述源掺杂区和沟道区均相邻接触，所述沟槽深度小于所述外延层厚度，大于所述沟道区注入深度，所述沟槽侧壁与底部均覆有栅氧化层，沟槽内填充多晶硅，形成多晶硅栅；源/漏/栅电极，用于连接外电极；其特征在于，所述沟槽式场效应管还包括：具有第一导电类型的第一掺杂区，位于所述沟道区下方，且与所述沟道区相邻接触；所述半导体衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度，所述源掺杂区的掺杂浓度大于所述半导体衬底的掺杂浓度，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述沟道区的掺杂浓度。