| 发明名称 | 图像传感单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种图像传感单元及其形成方法，所述图像传感单元的形成方法包括：提供像素电极材料层；对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极，所述像素电极的表面凹凸不平，具有凸起结构；在所述像素电极表面形成有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104518090A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310455828.1 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种图像传感单元的形成方法，其特征在于，包括：提供像素电极材料层；对所述像素电极材料层进行处理形成像素电极，所述像素电极的表面凹凸不平，具有若干凸起结构；在所述像素电极表面形成有机光电转换层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||