栅氧生长方法

摘要

本发明公开了一种栅氧生长方法，包括如下步骤：将需要进行栅氧生长的圆片放入反应室内，通入氧气使得所述圆片置于氧气氛围下，接着对所述圆片进行升温直至温度升高至工艺温度；保持温度为工艺温度并维持氧气的通入，开始通入DCE使得所述圆片置于氧气和DCE的混合氛围下；保持温度为工艺温度并维持氧气和DCE的通入，开始通入氢气直至栅氧生长完成；关闭DCE、氢气和氧气的通入，开始通入氮气直至圆片降温至非工艺温度。这种栅氧生长方法通过添加含有Cl的气体DCE，在栅氧生长的步骤中，DCE由于热氧化而生成的Cl起了O与Si反应的催化剂的作用，从而大大提高了氧化速率。这种栅氧生长方法，相对于传统的干法氧化法，生产效率较高。

主权项

一种栅氧生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将需要进行栅氧生长的圆片放入反应室内，通入氧气使得所述圆片置于氧气氛围下，接着对所述圆片进行升温直至温度升高至工艺温度；步骤二、保持温度为工艺温度并维持氧气的通入，开始通入DCE使得所述圆片置于氧气和DCE的混合氛围下；步骤三、保持温度为工艺温度并维持氧气和DCE的通入，开始通入氢气直至栅氧生长完成；步骤四、关闭DCE、氢气和氧气的通入，并开始通入氮气直至所述圆片降温至非工艺温度。