发明名称 |
一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元,包括从下至上依次设置的衬底、第一电极、中间层及第二电极,所述中间层由氮掺杂多孔碳薄膜形成。本发明还公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法,首先在衬底表面沉积金属薄膜作为第一电极;在第一电极表面沉积氮掺杂多孔碳薄膜;在氮掺杂多孔碳薄膜表面沉积金属薄膜作为第二电极;采用反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀的方法在已获得的结构基础上制备出隔离的器件结构。本电阻型随机存储器不需要电形成过程,高低电阻态间差值大于100倍,且表现出优异的高温稳定性能,在120℃,氩气或氮气气氛中,高低阻态的阻值可以稳定保持超过7天。 |
申请公布号 |
CN104518083A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201310446932.4 |
申请日期 |
2013.09.26 |
申请人 |
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
发明人 |
诸葛飞;陈浩;曹鸿涛 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
刘诚午 |
主权项 |
一种电阻型随机存储器的存储单元,包括从下至上依次设置的衬底、第一电极、中间层及第二电极,其特征在于,所述中间层由氮掺杂多孔碳薄膜形成。 |
地址 |
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 |