一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法

摘要

本发明提供一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面形成掺杂的单晶薄膜；2）于单晶薄膜表面形成缓冲层及顶层半导体材料；3）将杂质离子注入至单晶薄膜；4）将剥离离子注入至单晶薄膜下方第一衬底中的预设深度的位置；5）键合所述顶层半导体材料与具有绝缘层的第二衬底；6）进行退火处理，使所述第一衬底与所述缓冲层从该单晶薄膜处分离，去除所述缓冲层。本发明结合了离子共注与掺杂单晶薄膜剥离的双重作用，有效的降低了剥离剂量。注入杂质离子使单晶薄膜产生应力增加其吸附能力，H离子注入退火后实现剥离，剥离发生在超薄的单晶薄膜处，裂纹很小，可获得高质量的绝缘体上半导体材料。

主权项

一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供第一衬底，于所述第一衬底表面形成掺杂的单晶薄膜；2）于所述单晶薄膜表面形成缓冲层，于所述缓冲层表面形成顶层半导体材料；3）从所述顶层半导体材料表面将杂质离子注入至所述单晶薄膜；4）从所述顶层半导体材料表面将剥离离子注入至所述单晶薄膜下方第一衬底中的预设深度的位置；5）提供表面具有绝缘层的第二衬底，并将所述绝缘层与所述顶层半导体材料进行键合；6）进行退火处理，使所述单晶薄膜吸附所述剥离离子，最终使所述第一衬底与所述缓冲层从该单晶薄膜处分离，最后去除所述缓冲层。