半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括形成在衬底上的第一超晶格缓冲层。在第一超晶格缓冲层上形成有第二超晶格缓冲层。在第二超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成有第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成有第二半导体层。第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第一超晶格形成层由Al_xGa_1-xN形成，第二超晶格形成层由Al_yGa_1-yN形成，其中x>y。掺杂到第二超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一超晶格缓冲层；形成在所述第一超晶格缓冲层上的第二超晶格缓冲层；在所述第二超晶格缓冲层上的由氮化物半导体形成的第一半导体层；在所述第一半导体层上的由氮化物半导体形成的第二半导体层；以及形成在所述第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中所述第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成，并且所述第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠所述第一超晶格形成层和所述第二超晶格形成层而形成，以及所述第一超晶格形成层由Al_xGa_1‑xN形成，所述第二超晶格形成层由Al_yGa_1‑yN形成，其中x>y，并且掺杂到所述第二超晶格缓冲层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到所述第一超晶格缓冲层中的用作受主的杂质元素的浓度。