发明名称 |
半导体外延结构的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,且该基底具有一支持半导体外延层生长的外延生长面;在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层;以及在基底的外延生长面生长一掺杂的半导体外延层。 |
申请公布号 |
CN102723408B |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201110077488.4 |
申请日期 |
2011.03.29 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,且该基底具有一外延生长面;在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层,且该在所述基底的外延生长面设置碳纳米管层的方法包括:对一碳纳米管膜进行加热处理以减小该碳纳米管膜的厚度,以及将该加热处理后的碳纳米管膜铺设在所述基底的外延生长面并与基底接触;在所述基底的外延生长面生长一GaN低温缓冲层;在所述GaN低温缓冲层表面生长一N型GaN层;在所述N型GaN层表面生长一InGaN/GaN多量子阱层;在所述InGaN/GaN多量子阱层表面生长一P型GaN层;以及进行退火处理。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |