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发明名称
トランジスタ
摘要
<p>【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ(FET)のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。【選択図】図1</p>
申请公布号
JP5702886(B1)
申请公布日期
2015.04.15
申请号
JP20140250947
申请日期
2014.12.11
申请人
发明人
分类号
H01L29/786
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
主权项
地址
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