高台阶落差的半导体产品及其制作方法

摘要

本发明提供了一种高台阶落差的半导体产品及其制作方法，属于半导体芯片制造工艺技术领域。其中，该高台阶落差的半导体产品的制作方法包括：形成存在高台阶落差的第一区域和平坦的第二区域；在所述第一区域上形成第一厚度的光刻胶，在所述第二区域上形成第二厚度的光刻胶，其中，第二厚度小于第一厚度；在对所述第二区域上的光刻胶进行曝光显影之后，利用得到的光刻胶的图形对所述第二区域进行刻蚀，形成第二区域的图形。通过本发明的技术方案，既能够保护芯片场环区的氧化层，又能够在芯片的平坦区形成细的光刻线条。

主权项

一种高台阶落差的半导体产品的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：形成存在高台阶落差的第一区域和平坦的第二区域；在所述第一区域上形成第一厚度的光刻胶，在所述第二区域上形成第二厚度的光刻胶，其中，第二厚度小于第一厚度；在对所述第二区域上的光刻胶进行曝光显影之后，利用得到的光刻胶的图形对所述第二区域进行刻蚀，形成第二区域的图形。